[发明专利]GaN功率半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201910668737.3 | 申请日： | 2019-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN112289859B | 公开（公告）日： | 2022-02-11 |
| 发明（设计）人： | 陈道坤;史波;曾丹;敖利波 | 申请（专利权）人： | 珠海格力电器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/423;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京华夏泰和知识产权代理有限公司 11662 | 代理人： | 韩来兵 |
| 地址： | 519070*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请涉及功率半导体器件技术领域，具体而言，涉及一种GaN功率半导体器件及其制造方法。GaN功率半导体器件包括有由下至上依次层叠的衬底、缓冲层、沟道层、势垒层，及设置于势垒层上的源极、漏极和位于两者之间的栅极，其中栅极包括至少两种不同类型的栅极结构。制造方法包括以下步骤：于一衬底上依次形成缓冲层、沟道层、势垒层、p‑GaN层和第一金属层；刻蚀掉非第一类栅极结构区域的p‑GaN层和第一金属层，形成第一类栅极结构；于势垒层表面上形成源极、漏极和第二类栅极结构。GaN功率半导体器件集成两种或两种以上栅极结构，综合权衡阈值电压和导通电阻，实现尽可能高的阈值电压和尽可能低的导通电阻，更好地提高器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | gan 功率 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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