[发明专利]PbS量子点Si-APD红外探测器及其制备方法在审
| 申请号： | 201910669611.8 | 申请日： | 2019-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN110350045A | 公开（公告）日： | 2019-10-18 |
| 发明（设计）人： | 陆文强;张昆;付勰;康帅;冯双龙 | 申请（专利权）人： | 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/0224;H01L31/032;H01L31/107;H01L31/18;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京申翔知识产权代理有限公司 11214 | 代理人： | 艾晶 |
| 地址： | 400714 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明提出一种PbS量子点Si‑APD红外探测器及其制备方法，所述探测器包括本征Si衬底(1)、减反膜区(4)、N+掺杂区(3)、P掺杂区(2)、P+掺杂区(6)、PbS量子点层(7)、上电极(5)和下电极(8)，减反膜区(4)位于本征Si衬底(1)正上方、N+掺杂区(3)位于反射区(4)下方、P掺杂区(2)位于N+掺杂区(3)下方、P+掺杂区(6)位于本征Si衬底(1)下方、PbS量子点层(7)位于P+掺杂区(6)下方、上电极(5)位于反射区(4)上表面，以及下电极(8)位于PbS量子点层(6)下表面。本发明以PbS量子点层作为吸收层，采用纯电子注入的方式，使得本发明能够吸收近红外波段光波，具有光谱响应宽，响应度高，过噪声小，成本低，易于加工等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂区 量子点层 本征Si衬底 红外探测器 反射区 量子点 下电极 电极 膜区 制备 近红外波段 电子注入 光谱响应 光波 上表面 吸收层 下表面 响应度 探测器 噪声 吸收 加工 | ||
【主权项】：
1.一种PbS量子点Si‑APD红外探测器，其包括本征Si衬底(1)、减反膜区(4)、N+掺杂区(3)、P掺杂区(2)、P+掺杂区(6)、PbS量子点层(7)、上电极(5)和下电极(8)，其特征在于，减反膜区(4)位于本征Si衬底(1)正上方，N+掺杂区(3)位于反射区(4)下方，P掺杂区(2)位于N+掺杂区(3)下方，P+掺杂区(6)位于本征Si衬底(1)下方，PbS量子点层(7)位于P+掺杂区(6)下方，上电极(5)位于反射区(4)上表面，以及下电极(8)位于PbS量子点层(6)下表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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