[发明专利]一种薄膜晶体管、其制备方法及电子器件有效

专利信息
申请号: 201910669616.0 申请日: 2019-07-23
公开(公告)号: CN110379859B 公开(公告)日: 2022-08-16
发明(设计)人: 卢珂鑫;马经博;刘兆平 申请(专利权)人: 宁波石墨烯创新中心有限公司
主分类号: H01L29/786 分类号: H01L29/786;H01L21/336;H01L29/12;H01L29/06
代理公司: 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 代理人: 肖丽
地址: 315000 浙江省宁*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 本申请提供一种薄膜晶体管、其制备方法及电子器件,属于电子和光电子显示技术领域。薄膜晶体管包括基板、有源层、源极层、漏极层、栅绝缘层和栅极层。有源层为石墨烯异质结构层,石墨烯异质结构层包括重叠的石墨烯层和硅晶层,石墨烯层或硅晶层位于基板的表面。源极层和漏极层位于基板的表面使石墨烯异质结构层位于源极层和漏极层之间。栅绝缘层位于源极层、漏极层和石墨烯异质结构层的背离基板的表面以及基板的表面的未被源极层、漏极层和石墨烯异质结构层覆盖的部位。栅极层位于栅绝缘层的背离基板的表面。此薄膜晶体管的有源层为石墨烯层和硅晶层形成的异质结构层,使电子传输能力更佳,得到的薄膜晶体管的电学性能更好。
搜索关键词: 一种 薄膜晶体管 制备 方法 电子器件
【主权项】:
1.一种薄膜晶体管,其特征在于,包括:基板;有源层,所述有源层为石墨烯异质结构层,所述石墨烯异质结构层包括重叠的石墨烯层和硅晶层,所述石墨烯层或所述硅晶层位于所述基板的表面;源极层和漏极层,所述源极层和所述漏极层位于所述基板的表面使所述石墨烯异质结构层位于所述源极层和所述漏极层之间;栅绝缘层,所述栅绝缘层位于所述源极层、所述漏极层和所述石墨烯异质结构层的背离所述基板的表面以及所述基板的表面的未被所述源极层、所述漏极层和所述石墨烯异质结构层覆盖的部位;栅极层,所述栅极层位于所述栅绝缘层的背离所述基板的表面。
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