[发明专利]基于黑硅和量子点的Si-APD光电探测器及其制备方法在审
| 申请号： | 201910669697.4 | 申请日： | 2019-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN110416332A | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 陆文强;张昆;付勰;康帅;冯双龙 | 申请（专利权）人： | 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 |
| 主分类号： | H01L31/0236 | 分类号： | H01L31/0236;H01L31/0288;H01L31/032;H01L31/0352;H01L31/107;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京申翔知识产权代理有限公司 11214 | 代理人： | 艾晶 |
| 地址： | 400714 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于黑硅和量子点的Si‑APD光电探测器及其制备方法,所述Si‑APD光电探测器包括本征Si衬底(1)、位于本征Si衬底(1)中心上方的P区(2)、位于本征Si衬底(1)两侧上方保护环区即N区(3)、位于P区(2)上方的N+区(4)、位于N+区(4)上方的N+黑硅层(5)、位于N+黑硅层(5)上表面的量子点区(9)、位于本征Si衬底(1)下方的P+区(7)、位于量子点区(9)和环形保护区N区(3)上表面的上电极(6)以及位于P+区(7)下表面的下电极(8)。本发明以覆盖了量子点的黑硅层作为光敏层，利用其高的红外吸收特性，解决了传统Si‑APD光电探测器无法响应近红外波段或者近红外响应度低等问题；本发明能够吸收近红外波段光波，具有光谱响应宽，响应度高，过噪声小，成本低，易于加工等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 量子点 本征Si衬底 黑硅层 近红外波段 上表面 黑硅 制备 红外吸收特性 光电探测器 光谱响应 红外响应 电极 光波 保护区 光敏层 下表面 下电极 响应度 环区 噪声 响应 覆盖 吸收 加工 | ||
【主权项】：
1.一种基于黑硅和量子点的Si‑APD光电探测器，其包括本征Si衬底(1)、位于本征Si衬底(1)中心上方的P区(2)、位于本征Si衬底(1)两侧上方保护环区即N区(3)、位于P区(2)上方的N+区(4)、位于N+区(4)上方的N+黑硅层(5)、位于N+黑硅层(5)上表面的量子点区(9)、位于本征Si衬底(1)下方的P+区(7)、位于量子点区(9)和环形保护区N区(3)上表面的上电极(6)以及位于P+区(7)下表面的下电极(8)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
