[发明专利]包括具有交叉耦合结构的锁存器的集成电路器件

摘要

提供了集成电路器件。所述器件可以包括衬底，所述衬底包括第一区域、第二区域以及位于所述第一区域与所述第二区域之间的边界区域。所述第一区域和所述第二区域可以在第一水平方向上彼此间隔开。所述器件还可以包括位于所述第一区域上的第一锁存器、位于所述第二区域上的第二锁存器以及在所述第一水平方向上延伸并跨过所述边界区域的导电层。所述第一锁存器可以包括第一垂直场效应晶体管(VFET)、第二VFET、第三VFET和第四VFET。所述第二锁存器可以包括第五VFET、第六VFET、第七VFET和第八VFET。所述第一VFET和所述第七VFET可以沿着所述第一水平方向布置。所述导电层的部分可以分别包括所述第一VFET的栅电极和所述第七VFET的栅电极。

主权项

1.一种集成电路器件，所述集成电路器件包括：/n衬底，所述衬底包括第一区域、第二区域以及位于所述第一区域与所述第二区域之间的边界区域，其中，所述第一区域和所述第二区域在与所述衬底的上表面平行的第一水平方向上彼此间隔开；/n第一锁存器，所述第一锁存器位于所述衬底的所述第一区域上，其中，所述第一锁存器包括第一垂直场效应晶体管、第二垂直场效应晶体管、第三垂直场效应晶体管和第四垂直场效应晶体管；/n第二锁存器，所述第二锁存器位于所述衬底的所述第二区域上，其中，所述第二锁存器包括第五垂直场效应晶体管、第六垂直场效应晶体管、第七垂直场效应晶体管和第八垂直场效应晶体管，其中，所述第一垂直场效应晶体管和所述第七垂直场效应晶体管沿着所述第一水平方向布置；以及/n导电层，所述导电层在所述第一水平方向上延伸并跨过所述边界区域，其中，所述导电层的第一部分包括所述第一垂直场效应晶体管的栅电极，并且所述导电层的第二部分包括所述第七垂直场效应晶体管的栅电极。/n