[发明专利]太阳电池及太阳电池的制造方法在审
申请号: | 201910670414.8 | 申请日: | 2016-05-30 |
公开(公告)号: | CN110379868A | 公开(公告)日: | 2019-10-25 |
发明(设计)人: | 上迫浩一;小林贤一;小宫秀利;松井正五;松下满树;新井杰也;菅原美爱子 | 申请(专利权)人: | 亚特比目株式会社;农工大TLO株式会社 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/02;H01L31/0216;H01L31/18;H01B1/16 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟 |
地址: | 日本东京*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种太阳电池及太阳电池的制造方法,其目的在于减少银的使用量及减少或消除铅(铅玻璃)的使用量。本发明的构成,是制造在基板上照射光线等时生成高电子浓度的区域的同时,在该区域上形成透射光线等的绝缘膜,而且具有从在该绝缘膜所形成的电子取出口将电子取出的总线电极的太阳电池;为了形成总线电极,在导电性膏以重量比20%至70%混入导电性玻璃作为玻璃料且进行烧制而形成总线电极,来减少导电性膏的使用量。 | ||
搜索关键词: | 总线电极 导电性膏 绝缘膜 制造 导电性玻璃 透射光线 照射光线 玻璃料 铅玻璃 取出口 重量比 等时 混入 基板 烧制 取出 | ||
【主权项】:
1.一种太阳电池,制作有在基板上照射光线时生成高电子浓度的区域,并在该区域上形成有透射光线的绝缘膜,且所述太阳电池具有从形成在该绝缘膜的电子取出口取出电子的总线电极,其中,为了形成所述总线电极,在导电性膏中以重量比20%至70%混入包含钒及钡的钒酸盐玻璃且具有前述钒酸盐玻璃的电子导电性的导电性玻璃作为玻璃料,而且进行1秒以上且1分钟以内的烧制,而形成在前述烧制时改善电子导电性的总线电极,且使用了导电性玻璃作为导电性膏。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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