[发明专利]一种氢化物气相外延设备的反应室结构在审
| 申请号： | 201910670827.6 | 申请日： | 2019-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN110257905A | 公开（公告）日： | 2019-09-20 |
| 发明（设计）人： | 胡君;魏鸿源;杨少延 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | C30B25/08 | 分类号： | C30B25/08;C30B25/14;C30B29/40 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤宝平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种氢化物气相外延反应室结构。其特征是由进气区、导流区和生长区组成。进气区包括进气区天棚、进气区底壁和多个进气隔板，用来分别导入不同种类气体；导流区包括天棚导流板和底层导流板，天棚导流板引导从吹扫气体进气通道进气的吹扫气体，底层导流板消除原料气体回旋涡流；生长区包括反应室天棚、反应室底壁和衬底托盘。本发明的氢化物气相外延反应室结构，气体在衬底托盘前端的流场稳定，原料气体在衬底托盘表面的浓度和流场分布均匀性高，原料气体与反应室天棚之间的接触和寄生反应少，衬底上生长晶体的稳定性高，有效提高大尺寸晶体生长效率和成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 天棚 导流板 进气区 衬底 氢化物气相外延 反应室结构 原料气体 反应室 托盘 吹扫气体 导流区 生长区 底壁 大尺寸晶体生长 回旋涡流 寄生反应 进气隔板 进气通道 流场分布 托盘表面 种类气体 成品率 晶体的 均匀性 进气 流场 生长 | ||
【主权项】：
1.一种氢化物气相外延反应室结构，其特征在于，包括：进气区、导流区和生长区构成；其中，进气区包括：进气区天棚、进气区底壁和多个进气隔板；导流区包括：天棚导流板和底层导流板；生长区包括：反应室天棚、反应室底壁和衬底托盘。
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