[发明专利]掩膜片及其制作方法、开口掩膜板及其使用方法、薄膜沉积设备有效
申请号: | 201910671434.7 | 申请日: | 2019-07-24 |
公开(公告)号: | CN110331377B | 公开(公告)日: | 2021-10-29 |
发明(设计)人: | 王格;蒋志亮 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/04 | 分类号: | C23C16/04;C23C16/50;H01L51/52 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 张静尧 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供了一种掩膜片及其制作方法、开口掩膜板及其使用方法、薄膜沉积设备,涉及掩膜板技术领域,能够提高膜层整体的沉积效果。其中的掩膜片包括多个开口;沿所述掩膜片的厚度方向,所述掩膜片的一侧且位于每个所述开口的边缘均具有一圈第一凹槽;沿所述掩膜片的厚度方向,所述掩膜片的另一侧且靠近每个所述开口的边缘均设置有第二凹槽。 | ||
搜索关键词: | 膜片 及其 制作方法 开口 掩膜板 使用方法 薄膜 沉积 设备 | ||
【主权项】:
1.一种掩膜片,其特征在于,包括多个隔离条;多个所述隔离条呈网格状分布间隔出多个开口;在所述掩膜片的第一侧面上,沿所述掩膜片的厚度方向,在每个所述开口的边缘朝向所述隔离条的延伸处设置第一凹槽;在所述掩膜片的第二侧面上,沿所述掩膜片的厚度方向,在每个所述第一凹槽相对位置处设置第二凹槽;所述第一侧面与所述第二侧面平行且相对设置,与所述掩膜片的厚度方向垂直;所述第一凹槽与第二凹槽在所述掩膜片的厚度方向上的投影不完全重合。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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