[发明专利]一种单晶硅柱面元件的加工方法有效
| 申请号： | 201910671460.X | 申请日： | 2019-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN110465835B | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 王哲;徐学科;吴令奇;方媛媛;宋力 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所;上海恒益光学精密机械有限公司 |
| 主分类号： | B24B1/00 | 分类号： | B24B1/00;B08B3/12;B08B3/02 |
| 代理公司： | 上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31317 | 代理人： | 张宁展 |
| 地址： | 201800 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及光学超光滑加工领域，具体是一种单晶硅柱面元件的加工方法，利用古典抛光方法加工超光滑平面元件，经超声清洗后，使用大气等离子体抛光设备进行柱面成型，精修面形，多次迭代抛光，最终完成柱面元件的加工，解决了传统柱面镜加工中无法兼顾高精度与超光滑加工的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单晶硅 柱面 元件 加工 方法 | ||
【主权项】：
1.一种单晶硅柱面元件的加工方法，其特征在于：所述的加工方法的步骤为：/n步骤一：对高纯度(99.99999999999％)的单晶硅平面元件坯料进行平面加工处理，得到面形PV值0.5-1λ，粗糙度Rq小于0.3nm的平面抛光元件；/n步骤二：将根据实际柱面元件尺寸和半径计算得到的理论面形与步骤一得到的平面元件实际面形相减得到残余误差。并根据残余误差计算出驻留时间；/n步骤三：将步骤一得到的平面抛光元件进行超声清洗，清除表面残留的抛光粉等杂质，清洗后表面无大于1μm颗粒残留；/n步骤四：将步骤二得到的驻留时间导入大气等离子体抛光机，对步骤三得到的平面元件进行柱面成型，得到单晶硅柱面元件；/n步骤五：对步骤四得到的单晶硅柱面元件的面形进行检测，计算残余误差，如符合加工要求，则加工完毕；如不符合加工要求，则返回步骤二，重新计算驻留时间，经步骤三重新超声清洗，步骤四重新加工，反复迭代多次，直到面形达到要求。/n
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