[发明专利]高电子迁移率晶体管ESD保护结构有效
| 申请号： | 201910671891.6 | 申请日： | 2019-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN110783401B | 公开（公告）日： | 2023-07-25 |
| 发明（设计）人： | M·艾曼·谢比卜;C·G·廖 | 申请（专利权）人： | 维西埃-硅化物公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 娄晓丹 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高电子迁移率晶体管ESD保护结构。多栅极高电子迁移率晶体管(HEMT)可以包括在漏极和源极之间的二维电子气(2DEG)沟道。第一栅极可以设置为邻近漏极和源极之间的2DEG沟道。当在第一栅极和源极之间施加的电压小于与第一栅极相关联的阈值电压时，第一栅极可以配置成耗尽邻近第一栅极的2DEG沟道中的多数载流子。可以在漏极和第一栅极之间、邻近2DEG沟道处设置第二栅极。第二栅极可以电耦合到漏极。当在第二栅极与第二栅极和第一栅极之间的2DEG沟道之间施加的电压小于与第二栅极相关联的阈值电压时，第二栅极可以配置成耗尽邻近第二栅极的2DEG沟道中的多数载流子。与第二栅极相关联的阈值电压可以等于或大于与第一栅极相关联的阈值电压。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 迁移率 晶体管 esd 保护 结构 | ||
【主权项】：
1.一种器件，包括：/n宽带隙半导体层；/n更宽带隙半导体层，设置在所述宽带隙半导体层上以形成异质结，其中二维电子气(2DEG)沟道出现在所述宽带隙半导体层中邻近所述更宽带隙半导体层的边界处；/n源极，设置在所述更宽带隙半导体层的第一部分上；/n漏极，设置在所述更宽带隙半导体层的第二部分上；/n第一栅极，设置在所述源极和所述漏极之间的、所述更宽带隙半导体层的第三部分上，其中当电位电压小于施加在所述第一栅极与所述源极之间的第一阈值电压时，邻近所述第一栅极的所述2DEG沟道中的多数载流子被所述第一栅极耗尽；/n第二栅极，设置在所述第一栅极和所述漏极之间的、所述更宽带隙半导体层的第四部分上，并且电耦合到所述漏极，其中当电位电压小于施加在所述第二栅极与所述更宽带隙半导体层的第五部分之间的第二阈值电压时，邻近所述第二栅极的所述2DEG沟道中的多数载流子被所述第二栅极耗尽，其中所述第五部分位于所述更宽带隙半导体层的所述第四部分和所述第三部分之间；以及，/n其中所述第二阈值电压大于或等于所述第一阈值电压。/n
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