[发明专利]一种微小芯片的批量转移装置有效
申请号: | 201910672291.1 | 申请日: | 2019-07-24 |
公开(公告)号: | CN110349889B | 公开(公告)日: | 2021-08-13 |
发明(设计)人: | 朱钟源;汤晖;何思丰;陈新;高健;贺云波;崔成强 | 申请(专利权)人: | 广东工业大学 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王雨 |
地址: | 510060 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本申请公开了一种微小芯片的批量转移装置,包括导轨及芯片转移模块;所述导轨两侧包括沿所述导轨延伸方向排列的导轨电极;所述芯片转移模块套装在所述导轨上,且所述芯片转移模块与所述导轨之间具有间隙;所述芯片转移模块内侧包括与所述导轨电极相对应的芯片转移模块电极,通过改变所述导轨电极与所述芯片转移模块电极的电场强度,使所述芯片转移模块沿所述导轨宏动。本申请通过改变所述导轨电极不同位置的电场强度,精确控制所述芯片转移模块的位置,本申请提供的技术方案,在对所述芯片转移模块实现长行程的间距调整的同时,相比与现有技术,还大大减小了所述微小芯片的批量转移装置的占用空间,提高芯片转移的效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 微小 芯片 批量 转移 装置 | ||
【主权项】:
1.一种微小芯片的批量转移装置,其特征在于,包括导轨及芯片转移模块;所述导轨两侧包括沿所述导轨延伸方向排列的导轨电极;所述芯片转移模块套装在所述导轨上,且所述芯片转移模块与所述导轨之间具有间隙;所述芯片转移模块内侧包括与所述导轨电极相对应的芯片转移模块电极,通过改变所述导轨电极与所述芯片转移模块电极的电场强度,使所述芯片转移模块沿所述导轨宏动。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造