[发明专利]一种基于Benes结构且具有均衡损耗的大规模光开关拓扑阵列芯片实现方法有效

专利信息
申请号: 201910672510.6 申请日: 2019-07-24
公开(公告)号: CN110568560B 公开(公告)日: 2021-06-15
发明(设计)人: 杨建义;郭晓晴;王曰海;余辉 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: G02B6/35 分类号: G02B6/35
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司 33200 代理人: 万尾甜;韩介梅
地址: 310058 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种基于Benes结构且具有均衡损耗的大规模光交换拓扑阵列芯片实现方法。该方法在设计交叉波导阵列时采用双层波导结构,通过层间耦合实现两层介质间的信号传输,并且两级光开关之间的每一条波导只经过一次耦合过程,因此具有均衡的损耗。由于采用双层波导结构,避免大规模阵列交叉波导的出现,且信号在传递过程中的损耗均衡性更好。
搜索关键词: 一种 基于 benes 结构 具有 均衡 损耗 大规模 开关 拓扑 阵列 芯片 实现 方法
【主权项】:
1.一种基于Benes结构且具有均衡损耗的大规模光开关拓扑阵列芯片实现方法,其特征在于,两层波导之间通过层间耦合实现光信号传递,同时两级光开关单元之间的每条波导只经历一次层间耦合;所述的两层波导位于两层介质中。/n
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