[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201910672567.6 | 申请日： | 2019-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN111640762A | 公开（公告）日： | 2020-09-08 |
| 发明（设计）人： | 佐贯朋也 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/11578 | 分类号： | H01L27/11578 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 实施方式提供一种能够有效地布局配线的半导体装置及其制造方法。根据其中一种实施方式，半导体装置具备：第1基板；以及逻辑电路，设置于所述第1基板上。所述装置还具备：存储单元，设置于所述逻辑电路的上方；以及第2基板，设置于所述存储单元的上方。所述装置还具备接合垫，所述接合垫设置于所述第2基板的上方，电连接于所述逻辑电路。所述装置还具备配线，所述配线设置于所述第2基板的上方，电连接于所述存储单元，包含数据信号线、控制电压线、及电源线中的至少1个。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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