[发明专利]SRAM存储结构、存储器及控制方法在审
| 申请号： | 201910672677.2 | 申请日： | 2019-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN112309461A | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 方佳斌;王颖倩;张欢 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/417 | 分类号： | G11C11/417 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静;李丽 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种SRAM存储结构、存储器及控制方法，所述SRAM存储结构包括：第一反相器和第二反相器，所述第一反相器的输入端为所述存储结构的第一存储节点，所述第二反相器的输入端为所述存储结构的第二存储节点；控制单元，用于在所述第一存储节点写入高电位时控制所述第一存储节点与所述第二反相器隔离，在所述第二存储节点写入高电位时控制所述第二存储节点与所述第一反相器隔离，避免了存储节点在写入高电位时，被对应的反相器制约，从而提高了器件的写噪声容限。 | ||
| 搜索关键词： | sram 存储 结构 存储器 控制 方法 | ||
【主权项】：
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