[发明专利]一种确定介质窗微放电二次电子数目的方法有效
| 申请号： | 201910672840.5 | 申请日： | 2019-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN110555186B | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | 王新波;崔万照;张洪太;李韵;白鹤;冉立新 | 申请（专利权）人： | 西安空间无线电技术研究所 |
| 主分类号： | G06F17/10 | 分类号： | G06F17/10 |
| 代理公司： | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人： | 庞静 |
| 地址： | 710100*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 一种确定介质窗微放电二次电子数目的方法，首先对二次电子发射的能量和角度进行随机处理，根据初始直流电场和射频场确定电子与介质的碰撞能量，获得二次电子发射系数，根据二次电子产额更新介质表面的累积电荷，并更新直流电场。在微放电分析中采用多个电子进行平均处理，并考虑了直流电场的动态变化，获得动态直流场和射频场耦合作用下的介质窗微放电二次电子数目的变化过程。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 确定 介质 放电 二次电子 目的 方法 | ||
【主权项】：
1.一种确定介质窗微放电二次电子数目的方法，其特征在于通过下述方式实现：/n(1)对二次电子发射的能量和角度进行随机处理，确定每个宏粒子的出射速度和出射角度；/n(2)根据初始直流电场和射频场确定电子与介质的碰撞能量，获得二次电子发射系数；/n(3)根据二次电子发射系数更新介质表面的累积电荷量，并更新直流电场；/n(4)利用所述的射频场和更新后的直流电场确定电子与介质的碰撞能量，获得二次电子发射系数，从步骤(3)开始重复执行，直至达到预设的次数；/n(5)采用多个电子进行平均处理的方式确定介质窗微放电二次电子数目。/n
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