[发明专利]一种自支撑NaxV2O5纳米线钠离子电池阵列材料的制备方法

摘要

本发明提供了一种高比容量自支撑NaxV2O5（NVO）纳米线阵列的制备方法。具体是将泡沫镍裁剪成3×7 cm2的片子，用稀盐酸超声清洗之后继续用大量去离子水冲洗。NVO纳米线长度为1‑3μm，宽度为0.045‑0.25μm，单位面积NVO活性物质量为2‑4 mg cm‑2。所述NVO纳米线阵列钠离子电池负极片以偏钒酸铵为原料，调节pH至2‑4后在水热条件下发生化学反应，在空气中退火后得到V2O5纳米线阵列，经过高浓度氢氧化钠水热处理后烘干得到。该钠离子电池负极材料合成方法简单，不需高温退火处理，能耗低。由NVO纳米线负极片组装成的钠离子半电池循环性能稳定，在钠离子电池领域具有潜在应用价值。

主权项

1.一种自支撑Na_xV₂O₅纳米线钠离子电池阵列材料，其特征在于：该Na_xV₂O₅纳米线离子电池阵列的单根纳米线长度为1‑3 μm，宽度为0.045‑0.25 μm。