[发明专利]一种宽带SIW缝隙天线

摘要

本申请提出一种宽带SIW缝隙天线，包括：介质基片，包括上表面和下表面；上表面金属层，覆盖在所述介质基片的上表面处；下表面金属层，覆盖在所述介质基片的下表面处；金属化通孔阵列，以指定方向排列在所述介质基片上，并贯穿所述介质基片以开设至所述上表面金属层和所述下表面金属层；矩形缝隙，蚀刻在所述上表面金属层上；以及馈电结构，设置在所述介质基片上并连接至同轴线或同轴接头，以接收外部信号并激励所述宽带SIW缝隙天线向外辐射。其中，所述金属化通孔阵列、所述上表面金属层和所述下表面金属层构成一段封闭的基片集成波导腔体。所述金属化通孔阵列排列为包围所述矩形缝隙的矩形，并使得与所述矩形缝隙的长边形成夹角。

主权项

1.一种宽带SIW缝隙天线(1)，包括：介质基片(10)，包括上表面和下表面；上表面金属层(20)，覆盖在所述介质基片(10)的上表面处；下表面金属层(30)，覆盖在所述介质基片(10)的下表面处；金属化通孔阵列(40)，以指定方向排列在所述介质基片(10)上，并贯穿所述介质基片(10)，以开设至所述上表面金属层(20)和所述下表面金属层(30)；矩形缝隙(50)，蚀刻在所述上表面金属层(20)上；馈电结构(60)，设置在所述介质基片(10)上；以及同轴线或同轴接头(70)，连接至所述馈电结构(60)以传输外部信号，并由所述馈电结构(60)激励所述宽带SIW缝隙天线(1)向外辐射；其中，所述金属化通孔阵列(40)、所述上表面金属层(20)和所述下表面金属层(30)构成一段封闭的基片集成波导腔体，所述金属化通孔阵列(40)排列为包围所述矩形缝隙(50)的矩形，并使得与所述矩形缝隙(50)的长边形成夹角。