[发明专利]半导体元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201910675829.4 | 申请日： | 2019-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN110783200B | 公开（公告）日： | 2023-03-10 |
| 发明（设计）人： | 郑兆钦;江宏礼;陈自强;陈奕升 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423;H01L29/167 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本揭示是关于半导体元件及其制造方法。在制造半导体元件的方法中，鳍结构形成于底部鳍结构上方，其中鳍结构为交替堆叠第一半导体层及第二半导体层。具有侧壁间隔物的牺牲栅极结构形成于鳍结构上方。去除未由牺牲栅极结构覆盖的鳍结构的源极/漏极区域。横向凹陷第二半导体层。介电内部间隔物形成在经凹陷第二半导体层的横向端部。横向凹陷第一半导体层。形成源极/漏极磊晶层以接触经凹陷第一半导体层的横向端部。去除第二半导体层，从而露出通道区域中的第一半导体层。围绕第一半导体层形成栅极结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：/n形成一鳍结构，其包含多个第一半导体层及多个第二半导体层交替堆叠于一底部鳍结构上方；/n在该鳍结构上方形成具有多个侧壁间隔物的一牺牲栅极结构，该些侧壁间隔物以垂直于一半导体基板的一主表面的一方向形成；/n去除未被该牺牲栅极结构覆盖的该鳍结构的一源极/漏极区域；/n横向凹陷该些第二半导体层；/n在该些经凹陷第二半导体层的横向端部上形成多个介电内部间隔物；/n横向凹陷该些第一半导体层；/n形成一源极/漏极磊晶层以接触该些经凹陷第一半导体层的横向端部；/n去除该些第二半导体层，从而露出一通道区域中的该些第一半导体层；以及/n形成一栅极结构围绕该些第一半导体层。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
