[发明专利]预芬顿处理和磁场联合的均匀高效抛光方法有效
| 申请号： | 201910675879.2 | 申请日： | 2019-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN110355617B | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 赵军;彭浩然;方海东 | 申请（专利权）人： | 浙江工业大学 |
| 主分类号： | B24B1/00 | 分类号： | B24B1/00;B24B41/00;B24B55/02 |
| 代理公司： | 杭州斯可睿专利事务所有限公司 33241 | 代理人： | 王利强 |
| 地址： | 310014 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种预芬顿处理和磁场联合的均匀高效抛光方法，所述均匀高效抛光通过低压磨粒流实现；所述低压磨粒流在楔形流道内抛光碳化硅工件，所述楔形流道的上顶面倾斜角度可调，通过置于加工装置内的角度调整机构实现；所述芬顿预处理是对碳化硅工件的表面预处理，在抛光前通过芬顿反应使碳化硅工件表面生成二氧化硅薄层，降低工件表面硬度；所述磁场为置于加工装置正下方的电磁铁所产生的垂直工件表面的强度可调均匀磁场，在所述磁场的作用下，流场中的磁性磨粒被磁化，受磁场力作用向工件表面运动；所述磁性磨粒为镀镍碳化硅磨粒。本发明使碳化硅工件抛光后表面粗糙度均匀、表面质量提高、加工效率提高的。 | ||
| 搜索关键词： | 预芬顿 处理 磁场 联合 均匀 高效 抛光 方法 | ||
【主权项】：
1.一种预芬顿处理和磁场联合的均匀高效抛光方法，其特征在于，所述均匀高效抛光通过低压磨粒流实现；所述低压磨粒流在楔形流道内抛光碳化硅工件，所述楔形流道的上顶面倾斜角度可调，通过置于加工装置内的角度调整机构实现；所述芬顿预处理是对碳化硅工件的表面预处理，在抛光前通过芬顿反应使碳化硅工件表面生成二氧化硅薄层，降低工件表面硬度；所述磁场为置于加工装置正下方的电磁铁所产生的垂直工件表面的强度可调均匀磁场，在所述磁场的作用下，流场中的磁性磨粒被磁化，受磁场力作用向工件表面运动；所述磁性磨粒为镀镍碳化硅磨粒。
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