[发明专利]氧化铪薄膜的制造方法在审
申请号: | 201910676281.5 | 申请日: | 2019-07-25 |
公开(公告)号: | CN110379709A | 公开(公告)日: | 2019-10-25 |
发明(设计)人: | 郑凯仁;贺婷 | 申请(专利权)人: | 上海华力集成电路制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/28 | 分类号: | H01L21/28;H01L21/285;H01L29/51 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 郭四华 |
地址: | 201315 上海市浦东新区中国(上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种氧化铪薄膜的制造方法,包括步骤:步骤一、对半导体衬底进行第一次表面处理并在半导体衬底上形成羟基分布;步骤二、将半导体衬底放置到氧化铪薄膜生长腔体中,进行在位的第二次表面处理,利用第二次表面处理为在位处理的特点使半导体衬底上的羟基分布均匀;步骤三、进行氧化铪薄膜生长。本发明能改善氧化铪薄膜的均匀性,当氧化铪薄膜作为栅介质层时能降低栅极漏电。 | ||
搜索关键词: | 氧化铪薄膜 衬底 半导体 次表面 羟基 在位 生长腔体 栅介质层 漏电 均匀性 制造 生长 | ||
【主权项】:
1.一种氧化铪薄膜的制造方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤一、提供半导体衬底,对所述半导体衬底进行第一次表面处理,所述第一次表面处理为移位处理,所述第一次表面处理在所述半导体衬底上形成羟基分布;步骤二、将所述半导体衬底放置到氧化铪薄膜生长腔体中,在进行氧化铪薄膜生长之前进行在位的第二次表面处理,利用所述第二次表面处理为在位处理的特点使所述半导体衬底上的羟基分布均匀,以消除所述氧化铪薄膜生长腔体外部环境对所述半导体衬底上的羟基分布的影响;步骤三、进行氧化铪薄膜生长。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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