[发明专利]氧化铪薄膜的制造方法在审

专利信息
申请号: 201910676281.5 申请日: 2019-07-25
公开(公告)号: CN110379709A 公开(公告)日: 2019-10-25
发明(设计)人: 郑凯仁;贺婷 申请(专利权)人: 上海华力集成电路制造有限公司
主分类号: H01L21/28 分类号: H01L21/28;H01L21/285;H01L29/51
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 郭四华
地址: 201315 上海市浦东新区中国(上*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种氧化铪薄膜的制造方法,包括步骤:步骤一、对半导体衬底进行第一次表面处理并在半导体衬底上形成羟基分布;步骤二、将半导体衬底放置到氧化铪薄膜生长腔体中,进行在位的第二次表面处理,利用第二次表面处理为在位处理的特点使半导体衬底上的羟基分布均匀;步骤三、进行氧化铪薄膜生长。本发明能改善氧化铪薄膜的均匀性,当氧化铪薄膜作为栅介质层时能降低栅极漏电。
搜索关键词: 氧化铪薄膜 衬底 半导体 次表面 羟基 在位 生长腔体 栅介质层 漏电 均匀性 制造 生长
【主权项】:
1.一种氧化铪薄膜的制造方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤一、提供半导体衬底,对所述半导体衬底进行第一次表面处理,所述第一次表面处理为移位处理,所述第一次表面处理在所述半导体衬底上形成羟基分布;步骤二、将所述半导体衬底放置到氧化铪薄膜生长腔体中,在进行氧化铪薄膜生长之前进行在位的第二次表面处理,利用所述第二次表面处理为在位处理的特点使所述半导体衬底上的羟基分布均匀,以消除所述氧化铪薄膜生长腔体外部环境对所述半导体衬底上的羟基分布的影响;步骤三、进行氧化铪薄膜生长。
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