[发明专利]金属栅极的制造方法及半导体器件

摘要

本发明涉及金属栅极的制造方法及一半导体器件，涉及半导体集成电路制造技术，在金属栅极的制造过程中，通过在对金属层进行平坦化工艺后，增加对金属层利用微波热处理进行热氧化工艺，以使在金属层的裸露表面上形成一层金属氧化层，该层金属氧化层不仅可阻止空气中的氧气进入金属电极的主体金属层而使主体金属层继续氧化，对应的具有金属氧化层厚度一致，金属电极的接触电阻一致，进而器件的一致性好的优点；且可阻止金属电极的主体金属层向上扩散的路径，对应的具有可增强栅极控制能力的优点。

主权项

1.一种金属栅极的制造方法，其特征在于，包括：S1：提供一半导体衬底，在半导体衬底表面形成有多晶硅栅极结构，其中多晶硅栅极结构包括栅介质层、功函数层、电极阻挡层和多晶硅栅，栅介质层形成于半导体衬底表面，功函数层位于栅介质层上，电极阻挡层位于功函数层和多晶硅栅之间；S2：去除多晶硅栅；S3：在多晶硅栅去除区域形成金属层；S4：对金属层进行平坦化工艺；S5：在步骤S4之后对金属层利用微波热处理进行热氧化工艺，形成金属电极；以及S6：在金属层上进行TEOS氧化层沉积工艺，形成半导体器件的金属栅极结构。