[发明专利]一种用于等离子体喷涂的纳米SiC改性纳米结构莫来石粉体喂料的制备方法有效
| 申请号： | 201910676572.4 | 申请日： | 2019-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN110395993B | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 王铀;贾近;刘勇;王澜 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | C04B35/626 | 分类号： | C04B35/626;C04B35/634;C04B35/64;C04B35/185 |
| 代理公司： | 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司 23211 | 代理人： | 张金珠 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： |
一种用于等离子体喷涂的纳米SiC改性纳米结构莫来石粉体喂料的制备方法，属于热防护涂层领域，特别是环境障涂层和热/环境障涂层的技术领域。本发明中的纳米SiC在高温下会氧化为SiO |
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| 搜索关键词： | 一种 用于 等离子体 喷涂 纳米 sic 改性 结构 莫来石粉体 喂料 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于等离子体喷涂的纳米SiC改性纳米结构莫来石粉体喂料的制备方法，其特征在于所述制备方法是通过下述步骤完成的：步骤一、将水和磨球放入球磨机中搅拌，然后依次加入纳米Al2O3粉体、纳米SiO2粉体和纳米SiC粉体，搅拌至均匀，加入聚乙烯醇(PVA)胶，搅拌24h之后，得到浆料；步骤二、然后喷雾造粒；步骤三、然后进行松装固相烧结，即得到纳米SiC改性纳米结构莫来石粉体喂料。
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