[发明专利]半导体封装件及其制造方法以及制造再分布结构的方法在审
| 申请号： | 201910676642.6 | 申请日： | 2019-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN111009498A | 公开（公告）日： | 2020-04-14 |
| 发明（设计）人： | 石敬林 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L23/492;H01L23/31;H01L23/045;H01L21/56;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 赵南;张青 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种制造半导体封装件的方法，可包括：形成下部再分布层；在所述下部再分布层的一部分上形成堆叠体，以及在所述下部再分布层的顶表面上堆叠半导体芯片。所述堆叠体的形成可以包括：涂覆光可成像电介质材料以在所述下部再分布层的顶表面上形成第一绝缘层，形成第一通路以穿透所述第一绝缘层，涂覆光可成像电介质材料以在所述第一绝缘层的顶表面上形成第二绝缘层，以及形成第二通路以穿透所述第二绝缘层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 及其 制造 方法 以及 再分 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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