[发明专利]载子注入控制快恢复二极管结构及制造方法在审
| 申请号： | 201910677818.X | 申请日： | 2019-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN110970485A | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | H·伊尔马兹 | 申请（专利权）人： | 爱动力半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/861;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王允方 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请案涉及载子注入控制快恢复二极管结构及制造方法。提供半导体装置及制造方法。所述半导体装置包含通过降低载子存储控制电荷注入的电荷注入受控CIC快恢复二极管FRD。所述装置可具有第一导电性类型半导体衬底及漂移区域，所述漂移区域包含掺杂缓冲器区域、掺杂中间区域及掺杂场停止区域或载子存储区域。所述装置还可包含：第二导电性类型屏蔽区域，其包括环绕所述缓冲器区域(或在所述缓冲器区域下方基本上横向)的深结；及第二导电性类型浅结阳极区域，其与第二导电性类型阳极电极电接触。所述深结可具有环绕所述缓冲器区域的掺杂浓度范围以横向以及垂直地耗尽缓冲器电荷以防止过早装置击穿。所述第一导电性类型可为N型，且所述第二导电性类型可为P型。 | ||
| 搜索关键词： | 注入 控制 恢复 二极管 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱动力半导体公司，未经爱动力半导体公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910677818.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：修改音频数据的系统和方法
- 下一篇：一种卷烟烟气气相成分同分异构体的鉴定方法
- 同类专利
- 专利分类
