[发明专利]能量过滤磁控溅射镀膜装置、透明导电氧化物薄膜的制备方法及HJT电池在审
| 申请号： | 201910677899.3 | 申请日： | 2019-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN110284103A | 公开（公告）日： | 2019-09-27 |
| 发明（设计）人： | 龙会跃;成秋云;罗志高;周奇瑞;李斌 | 申请（专利权）人： | 湖南红太阳光电科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/35;H01L31/0224;H01L31/0747;H01L31/18 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人： | 周长清;何文红 |
| 地址： | 410205 湖南省*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种能量过滤磁控溅射镀膜装置、透明导电氧化物薄膜的制备方法及HJT电池，该装置包括真空室内相对设置的溅射靶材和衬底支架，衬底支架与溅射靶材的相对面上装设有需要镀膜的衬底，溅射靶材和衬底之间设置有平行于溅射靶材的过滤电极，过滤电极由若干个相互平行的金属线组成，金属线连接在衬底支架上。透明导电氧化物薄膜由上述装置制得。HJT电池中包含的透明导电氧化物薄膜由上述方法制得。本发明装置具有遮挡面积小、沉积速率高、靶材利用率高、成本低、适用范围广等优点，适合工业大规模生产推广，能够减少对衬底和透明导电氧化物薄膜的损伤，进而制备得到高质量透明导电氧化物薄膜以及具有优异电学性能的异质结电池。 | ||
| 搜索关键词： | 透明导电氧化物薄膜 溅射靶材 衬底支架 衬底 制备 磁控溅射镀膜装置 能量过滤 电池 金属线 电极 过滤 平行 靶材利用率 异质结电池 电学性能 相对设置 镀膜 沉积 遮挡 损伤 室内 | ||
【主权项】：
1.一种能量过滤磁控溅射镀膜装置，包括真空室(5)内相对设置的溅射靶材(1)和衬底支架(3)，所述衬底支架(3)与溅射靶材(1)的相对面上装设有需要镀膜的衬底(2)，其特征在于，所述溅射靶材(1)和衬底(2)之间设置有平行于溅射靶材(1)的过滤电极(4)，所述过滤电极(4)由若干个相互平行的金属线组成；所述金属线连接在衬底支架(3)上。
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