[发明专利]磁性随机存储器的磁性隧道结结构有效
| 申请号： | 201910677955.3 | 申请日： | 2019-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN112289923B | 公开（公告）日： | 2023-05-23 |
| 发明（设计）人： | 张云森;郭一民;陈峻;肖荣福 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | H10N50/10 | 分类号： | H10N50/10;H10N50/85;H10B61/00;G11C11/16 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201815 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请提供一种磁性随机存储器的磁性隧道结结构，所述磁性隧道结结构包括二层晶格转换层，实现具有面心立方晶体结构的反铁磁层到具有体心立方堆积参考层之间的晶格转换和强铁磁耦合，有利于磁性隧道结单元在磁学，电学和良率的提升以及器件的缩微化。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 随机 存储器 隧道 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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