[发明专利]OPC修正程序的MRC取值方法有效
申请号: | 201910678510.7 | 申请日: | 2019-07-25 |
公开(公告)号: | CN110398879B | 公开(公告)日: | 2023-03-24 |
发明(设计)人: | 熊丽娜;于世瑞 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36;G03F1/84 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅 |
地址: | 201315*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供了一种OPC修正程序的MRC取值方法,包括:提供集成电路版图、符合掩膜版制作精度的第一最小尺寸、符合集成电路版图的设计规则的第二最小尺寸以及收敛性条件;设定至少一组测试图形,每一测试图形均具有一组第三尺寸的值;筛选出每一组测试图形中进行光刻后可量测尺寸数据、且量测到的尺寸数据满足收敛性条件的目标测试图形,将其第三尺寸的值中的最小值作为第四尺寸的值;将所有第四尺寸的值中的较小值与第一最小尺寸的值对比,选择其中的较大者作为MRC值。所述MRC取值方法在掩膜制造厂商提供的MRC值的基础上引入对实际产品进行量测和模拟的数据,使最终得到的MRC取值满足掩膜版制造精度,具有较好的收敛性,且在可以曝光的图形范围内。 | ||
搜索关键词: | opc 修正 程序 mrc 方法 | ||
【主权项】:
1.一种OPC修正程序的MRC取值方法,其特征在于,包括:提供一集成电路版图、一组符合掩膜版制作精度的第一最小尺寸的值以及一组符合所述集成电路版图的设计规则的第二最小尺寸的值,所述设计规则包括收敛性条件;根据所述集成电路版图中要进行OPC修正的图形的特征、所述第一最小尺寸的值以及所述第二最小尺寸的值,设定至少一组测试图形,每一所述测试图形均具有与所述第一最小尺寸或所述第二最小尺寸关联的一组第三尺寸的值;对所述测试图形进行光刻以得到刻印图形,筛选出刻印图形中可量测尺寸数据且量测到的尺寸数据满足所述收敛性条件的目标刻印图形,反向筛选出每组测试图形中对应所述目标刻印图形的的目标测试图形,对每组测试图形中目标测试图形的第三尺寸进行比较,得到每组测试图形中目标测试图形对应的第三尺寸的最小值,作为一组第四尺寸的值;以及将全部所述第四尺寸的值中的较小值与所述第一最小尺寸的值对比,选择其中的较大者作为所述MRC的值。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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