[发明专利]套准标记及其形成方法有效
| 申请号： | 201910678518.3 | 申请日： | 2019-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN110400789B | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 邓国贵 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;G03F7/20;G03F9/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种套准标记及其形成方法，所述套准标记包括位于半导体基底中的第一光栅以及位于半导体基底表面的第二光栅；其中第一光栅包括多个第一栅条，每个第一栅条为一个浅沟槽隔离结构，半导体基底位于相邻浅沟槽隔离结构之间的部分构成第一狭缝，第二光栅包括多个第二栅条以及设置在其间的第二狭缝，第二栅条及第一栅条在所述半导体基底表面的投影重合。所述套准标记的形成方法用于形成一种套准标记。本发明提供的套准标记中，第一光栅与第二光栅位置相同，形状相似，使得第一光栅和第二光栅的衍射波携带的信息相同，第一光栅的衍射波和第二光栅的衍射波可以发生干涉以得到强度较高的干涉波，以提高套准标记的套准精度测量的准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 标记 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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