[发明专利]一种优化的具有ECC功能的MRAM系统及其操作方法在审
| 申请号： | 201910678834.0 | 申请日： | 2019-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN112289353A | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | 戴瑾;夏文斌 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;G11C29/42;G06F11/10;G06F3/06 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201815 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种优化的具有ECC功能的MRAM系统及其操作方法，在使用ECC的情况下避免频繁读取整个内部字，包括寄存器、纠错电路和控制电路，控制电路包括读写操作模块、数据写回MRAM操作模块以及地址管理模块，当外界访问一个短字时，把对应的长字整体读至寄存器中，在寄存器区上进行短字的读写操作，如果之后周期外部字地址也能匹配此内部长字地址时，可以继续在寄存器区上进行读写操作，直至新的周期的外部字地址无法匹配，再进行寄存器写回MRAM，并读入相应的内部字地址的数据至寄存器，从而有效地减小读写MRAM所需功耗，另外还可以在同一个周期内实现一个完整的读写操作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 优化 具有 ecc 功能 mram 系统 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
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