[发明专利]一种可控硅芯片及其制造方法有效
| 申请号： | 201910679982.4 | 申请日： | 2019-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN110444596B | 公开（公告）日： | 2023-06-20 |
| 发明（设计）人： | 黄富强;李晓锋 | 申请（专利权）人： | 浙江里阳半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L29/06;H01L21/332 |
| 代理公司： | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人： | 郭燕;彭愿洁 |
| 地址： | 317600 *** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种可控硅芯片及其制造方法，包括在长基区一侧设有阳极发射区并形成第一PN结，在长基区另一侧设有短基区并形成第二PN结，在短基区上还设有阴极发射区并形成第三PN结，隔离墙，形成于阳极发射区、长基区和短基区的周边，并与阳极发射区掺有同种杂质，所述隔离墙上通过干法刻蚀开设有第一沟槽，所述第一沟槽为窄深槽，电压槽，其形成于隔离墙和短基区之间，用于阻断隔离墙和短基区的电气连接。通过干法刻蚀在可控硅芯片上应用，可快速与材料进行反应，刻蚀去除得到一窄深槽，形成窄深槽产生的应力小，窄深槽槽宽的横向距离少，减少台面的损失距离，窄深槽极大减少扩散深度，进而减少扩散形成隔离墙的时间，降低产品的失效应力，提高产品的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 可控硅 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种可控硅芯片，其特征在于，包括：阳极发射区、长基区、短基区和阴极发射区，在长基区一侧设有阳极发射区并形成第一PN结，在长基区另一侧设有短基区并形成第二PN结，在短基区上还设有阴极发射区并形成第三PN结；隔离墙，形成于阳极发射区、长基区和短基区的周边，并与阳极发射区掺有同种杂质，所述隔离墙上通过干法刻蚀开设有第一沟槽，其中，所述第一沟槽为窄深槽；电压槽，其形成于隔离墙和短基区之间，用于阻断隔离墙和短基区的电气连接。
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