[发明专利]薄膜电池的制备方法及薄膜电池在审
申请号: | 201910681003.9 | 申请日: | 2019-07-26 |
公开(公告)号: | CN110416360A | 公开(公告)日: | 2019-11-05 |
发明(设计)人: | 黄鹏;段明江;孙宗民;赵书华 | 申请(专利权)人: | 安徽省华腾农业科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0463 |
代理公司: | 深圳市科吉华烽知识产权事务所(普通合伙) 44248 | 代理人: | 谢肖雄 |
地址: | 234000 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 公开了一种薄膜电池的制备方法及薄膜电池,方法包括干式蚀刻硅晶片形成多个微电池图案阵列,局部化硼掺杂和磷掺杂所述微电池图案阵列,转移层无间隙接触所述微电池阵列以从硅晶片分离所述微电池阵列,转移层将微电池阵列转移到聚酰胺层,然后剥离所述转移层,在聚酰胺层上喷墨印刷高度与微电池高度一致的导电层使得所述导电层邻接所述微电池阵列且形成电互联,层压形成柔性背板,在导电层上以微电池为中心套准印刷预定间距和预定高度的支承层,在微电池和两侧的支承层上间隙涂布透明的硅树脂粘合剂,球形透镜经由所述硅树脂粘合剂相对于微电池对准固定,涂布甲基丙烯酸甲酯层以覆盖所述球形透镜、支承层和导电层。 | ||
搜索关键词: | 微电池 薄膜电池 导电层 支承层 转移层 硅树脂粘合剂 聚酰胺层 球形透镜 图案阵列 制备 甲基丙烯酸甲酯层 硅晶片分离 无间隙接触 干式蚀刻 高度一致 间隙涂布 喷墨印刷 柔性背板 电互联 硅晶片 局部化 磷掺杂 硼掺杂 透明的 中心套 邻接 层压 对准 剥离 印刷 覆盖 | ||
【主权项】:
1.一种薄膜电池的制备方法,其包括如下步骤:干式蚀刻硅晶片形成多个微电池图案阵列,局部化硼掺杂和磷掺杂所述微电池图案阵列,光刻所述硅晶片以形成多个预定长度和宽度的微电池阵列,钝化微电池侧壁以及各向异性蚀刻微电池侧壁和底部使得微电池的厚度小于预定厚度,转移层无间隙接触所述微电池阵列以从硅晶片分离所述微电池阵列,转移层将微电池阵列转移到聚酰胺层,然后剥离所述转移层,其中,所述转移层包括接触所述微电池阵列的聚二甲基硅氧烷膜和玻璃纤维膜,所述聚酰胺层经由含有银颗粒的粘合层固定所述微电池阵列,在聚酰胺层上喷墨印刷高度与微电池高度一致的导电层使得所述导电层邻接所述微电池阵列且形成电互联,层压形成柔性背板,丝网印刷金属线于柔性背板上,然后在柔性背板上沉积图案化电介质层,聚酰胺层设置在在所述柔性背板上,在导电层上以微电池为中心套准印刷预定间距和预定高度的支承层,在微电池和两侧的支承层上间隙涂布透明的硅树脂粘合剂,球形透镜经由所述硅树脂粘合剂相对于微电池对准固定,涂布甲基丙烯酸甲酯层以覆盖所述球形透镜、支承层和导电层。
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H01 基本电气元件
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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