[发明专利]一种无损测量IGBT模块并联芯片中最高芯片温度和最低芯片温度的方法

摘要

本发明公开了一种无损测量IGBT模块并联芯片中最高芯片温度和最低芯片温度的方法，首先在不同温度下，测量模块温度均匀时的阈值电压和开通延迟时间，获得校温曲线库；然后在模块工作条件下，测量阈值电压和开通延迟时间；最后将测量值与校温曲线库进行对比，分别获得模块并联芯片中最高芯片温度和最低芯片温度。IGBT芯片并联是提高大容量变换器输出电流的有效途径，然而，各个芯片散热条件的差异将会导致IGBT模块并联芯片中芯片温度不均匀，造成模块的静态不均流和动态不均流，严重影响模块的开关特性，导致某个芯片在开通关断瞬间承担过大电流，极易烧毁芯片，影响整个模块可靠运行；本方法可以测量模块并联芯片中最高芯片温度和最低芯片温度。

主权项

1.一种无损测量IGBT模块并联芯片中最高芯片温度和最低芯片温度的方法，实现该方法的装置包括待测IGBT模块(1)、温箱(2)、电压源(3)和数据采集仪(4)，其中数据采集仪(4)用于测量待测模块的阈值电压和开通延迟时间；其特征在于，该方法包括以下步骤：步骤一，将IGBT模块(1)和电压源(3)相连，将IGBT模块(1)和数据采集仪(4)相连，并将模块置于温箱(2)中，利用温箱(2)对模块进行均匀加热；步骤二，当将IGBT模块(1)温度稳定到温箱(2)所设定的温度时，利用电压源(3)给模块供电，通过数据采集仪(4)测量模块温度均匀时的阈值电压和开通延迟时间；步骤三，重复步骤一和步骤二，获得不同温度下的阈值电压和开通延迟时间，形成针对IGBT模块(1)温度均匀的阈值电压‑结温和开通延迟时间‑结温两个校温曲线库，并对校温曲线库做拟合处理；步骤四，利用电压源(3)使IGBT模块(1)正常工作，由于各个芯片散热条件的差异导致模块并联芯片温度不均匀，利用数据采集仪(4)测量IGBT模块(1)的阈值电压和开通延迟时间；步骤五，通过步骤四中测得的阈值电压和开通延迟时间数据，利用步骤三建立的阈值电压‑结温和开通延迟时间‑结温两个校温曲线数据库，分别获得IGBT模块并联芯片中最高芯片温度和最低芯片温度。