[发明专利]三维存储器元件及其制造方法在审
申请号: | 201910681558.3 | 申请日: | 2019-07-26 |
公开(公告)号: | CN112242403A | 公开(公告)日: | 2021-01-19 |
发明(设计)人: | 杨智凯;韩宗廷 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/1157 | 分类号: | H01L27/1157;H01L27/11582 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 马莉 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 一种三维存储器元件及其制造方法,三维存储器元件包括基底、第一叠层结构、第二叠层结构以及刻蚀终止层。基底具有存储单元区以及周边区。第一叠层结构配置于存储单元区以及周边区上,且在存储单元区具有穿过第一叠层结构的至少一第一垂直通道柱。第二叠层结构位于第一叠层结构上、配置于存储单元区以及周边区上,且在存储单元区具有穿过第二叠层结构的至少一第二垂直通道柱。第二垂直通道柱电性连接至第一垂直通道柱。刻蚀终止层位于第一叠层结构与第二叠层结构之间、配置于存储单元区上并延伸至周边区上,且环绕第二垂直通道柱的下部。 | ||
搜索关键词: | 三维 存储器 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的