[发明专利]三维存储器元件及其制造方法

摘要

一种三维存储器元件及其制造方法，三维存储器元件包括基底、第一叠层结构、第二叠层结构以及刻蚀终止层。基底具有存储单元区以及周边区。第一叠层结构配置于存储单元区以及周边区上，且在存储单元区具有穿过第一叠层结构的至少一第一垂直通道柱。第二叠层结构位于第一叠层结构上、配置于存储单元区以及周边区上，且在存储单元区具有穿过第二叠层结构的至少一第二垂直通道柱。第二垂直通道柱电性连接至第一垂直通道柱。刻蚀终止层位于第一叠层结构与第二叠层结构之间、配置于存储单元区上并延伸至周边区上，且环绕第二垂直通道柱的下部。