[发明专利]一种功率MOS器件开启过程中瞬态温升在线测量方法

摘要

本发明公开了一种功率MOS器件开启过程中瞬态温升在线测量方法，属于功率半导体器件以及电力电子应用技术领域。在功率MOS器件开启瞬态过程中，在不同栅极电压VGS、不同源‑漏电压VDS和不同源‑漏电流IDS的条件下测量出三个温敏参数与温度的关系曲线,通过拟合得到校温曲线的函数表达式,即完成校温曲线的建立。当功率MOS器件工作在开启瞬态时，根据加电条件，即栅极电压VGS、源‑漏电压VDS和源‑漏电流IDS的数值，将上述温敏参数带入校温曲线库，可得知该时刻的结温值，从而实现功率MOS器件结温的实时测量，也可监控功率MOS器件在该状态下的温升。

主权项

1.一种功率MOS器件开启过程中瞬态温升在线测量方法，其特征在于：在功率MOS器件开启瞬态的测温过程中，打破静态与瞬态温敏参数不能交叉使用这一限制；在校温曲线测量过程中，利用功率MOS器件的静态温敏参数代替动态温敏参数，建立校温曲线库；在功率MOS器件工作状态下，通过在功率MOS器件的栅极施加不同大小的电压信号，即通过检测在不同栅极电压V_GS条件下，饱和区源漏电压V_DS、源‑漏电流I_DS与结温T的对应关系，通过数学建模得出温敏参数与结温的函数关系式，从而建立校温曲线库；在功率MOS器件开启瞬态过程中，使用成熟的采集模块，将栅极电压V_GS、源‑漏电压V_DS和源‑漏电流I_DS进行实时采集，通过校温曲线即可得到此刻的结温值，即实现了功率MOS器件瞬态温升的在线测量。