[发明专利]像素化结构ZnO:Ga单晶纳米棒阵列α粒子闪烁转换屏及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201910682302.4 | 申请日： | 2019-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN110359023B | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 刘小林;李乾利;郝书童;顾牡 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08;C30B7/10;C30B29/22;C30B33/02;C23C14/24;C23C14/18;G21K4/00 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 许耀 |
| 地址： | 200092 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种像素化结构ZnO:Ga单晶纳米棒阵列α粒子闪烁转换屏及其制备方法和应用，该α粒子闪烁转换屏包括镀有ZnO种子层薄膜的基片、垂直于基片在ZnO种子层薄膜上生长出的ZnO:Ga单晶纳米棒阵列和蒸镀于ZnO:Ga单晶纳米棒阵列上的铝膜，ZnO:Ga单晶纳米棒阵列的ZnO的晶格中掺杂有氢原子；可应用于高空间和时间分辨率、高信噪比的α粒子探测与成像，尤其是氘氚反应快中子伴随α粒子探测与成像的探测器中。与现有技术相比，本发明的α粒子闪烁转换屏具有发光衰减时间快，空间分辨率高，信噪比高，组份稳定、厚度均匀，附着基底牢固，结构简单、易制备且成本低等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 像素 结构 zno ga 纳米 阵列 粒子 闪烁 转换 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种像素化结构ZnO:Ga单晶纳米棒阵列α粒子闪烁转换屏，其特征在于，包括镀有ZnO种子层薄膜的基片、垂直于基片在ZnO种子层薄膜上生长出的ZnO:Ga单晶纳米棒阵列和蒸镀于ZnO:Ga单晶纳米棒阵列上的铝膜，所述的ZnO:Ga单晶纳米棒阵列的ZnO的晶格中掺杂有氢原子。
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