[发明专利]化学机械研磨垫的形成方法、化学机械研磨方法及其装置有效
| 申请号： | 201910682902.0 | 申请日： | 2019-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN110774167B | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 李安璿;佘铭轩;吴振豪;廖峻宏;李胜男;蔡腾群 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/10 | 分类号： | B24B37/10;B24B37/24;B24B37/26;B24B37/34;B24D18/00;H01L21/306 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种化学机械研磨垫的形成方法，包括提供嵌段共聚物的溶液，其中嵌段共聚物包括第一链段和连接第一链段的第二链段，第二链段与第一链段在组成上不相同。此形成方法还包括对嵌段共聚物的溶液进行处理，以形成具有第一相和嵌入于第一相的第二相的一聚合物网络，其中第一相包括第一链段，第二相包括第二链段。随后自聚合物网络将第二相移除，因而形成一聚合物膜，此聚合物膜包括嵌入于第一相的孔隙网络。之后，形成方法包括结合CMP顶部垫与一CMP子垫而形成一CMP研磨垫，其中CMP顶部垫配置为在化学机械研磨制程期间与一工作件接合。本发明还涉及到一种化学机械研磨方法及其装置。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 机械 研磨 形成 方法 及其 装置 | ||
【主权项】：
1.一种化学机械研磨CMP垫的形成方法，包括：/n形成一CMP顶部垫，包括：/n提供一嵌段共聚物的一溶液，其中该嵌段共聚物包括一第一链段和连接该第一链段的一第二链段，该第二链段与该第一链段在组成上不同；/n对该嵌段共聚物的该溶液进行处理，以形成具有一第一相和嵌入于该第一相的一第二相的一聚合物网络，其中，该第一相包括该第一链段，/n该第二相包括该第二链段；/n将该第二相自该聚合物网络移除，因而形成一聚合物膜，该聚合物膜包括嵌入于该第一相的一孔隙网络；以及/n结合该CMP顶部垫与一CMP子垫而形成一CMP研磨垫，其中，该CMP顶部垫配置为在一化学机械研磨制程期间与一工作件接合。/n
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