[发明专利]半导体装置的形成方法在审

申请号：	201910682987.2	申请日：	2019-07-26
公开（公告）号：	CN110783201A	公开（公告）日：	2020-02-11
发明（设计）人：	江国诚;黄麟淯;苏焕杰;王圣璁;林志昌;游家权;张家豪;林天禄;林佑明;王志豪	申请（专利权）人：	台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号：	H01L21/336	分类号：	H01L21/336;H01L21/8234;H01L29/78
代理公司：	72003 隆天知识产权代理有限公司	代理人：	黄艳
地址：	中国台***	国省代码：	中国台湾;71
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摘要：	半导体装置的形成方法包括：提供装置，其包括具有金属栅极层的栅极堆叠。装置亦包括位于栅极堆叠的侧壁上的间隔物层，以及与栅极堆叠相邻的源极/漏极结构。方法还包括对金属栅极层进行第一回蚀刻制程，以形成回蚀刻的金属栅极层。在一些实施例中，方法包括沉积金属层于回蚀刻的金属栅极层上。在一些例子中，形成半导体层于金属层与间隔物层上，以提供栅极堆叠与间隔物层上的T形盖层。
搜索关键词：	金属栅极层栅极堆叠间隔物层回蚀刻半导体装置沉积金属层源极/漏极半导体层提供装置金属层刻制侧壁回蚀
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【主权项】：

1.一种半导体装置的形成方法，包括：/n提供一装置，其包括具有一金属栅极层的一栅极堆叠，位于该栅极堆叠的侧壁上的一间隔物层、以及与该栅极堆叠相邻的一源极/漏极结构；/n对该金属栅极层进行一第一回蚀刻制程，以形成一回蚀刻的金属栅极层；/n沉积一金属层于该回蚀刻的金属栅极层上；以及/n形成一半导体层于该金属层与该间隔物层上，以提供该栅极堆叠与该间隔物层上的一T形盖层。/n

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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