[发明专利]一种非对称边墙、垂直堆叠沟道结构的可重构场效应晶体管在审
| 申请号： | 201910683374.0 | 申请日： | 2019-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN110416315A | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 李相龙;田明;王昌锋;孙亚宾;孙子涵;李小进;石艳玲;廖端泉;曹永峰 | 申请（专利权）人： | 华东师范大学;上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 上海蓝迪专利商标事务所(普通合伙) 31215 | 代理人： | 徐筱梅;张翔 |
| 地址： | 200241 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种非对称边墙、垂直堆叠沟道结构的可重构场效应晶体管，该晶体管包括：数条垂直堆叠的沟道，分别包裹在沟道外侧的栅极氧化物，设于沟道两端的源极和漏极，设置在源极右侧的源极一侧边墙，设置在漏极左侧的源极一侧边墙，设置在源极一侧边墙右侧的控制栅极，设置在漏极一侧边墙左侧的极性栅极，设置在控制栅极和极性栅极之间的栅极隔离，设置在底部的衬底。本发明其特征在于源极一侧边墙与漏极一侧边墙所采用的材料不同，源极一侧边墙的长度小于或等于漏极一侧边墙的长度；沟道沿垂直衬底的方向堆叠，堆叠的次数至少两次。本发明可在同等面积上获得更大的电流密度，从而达到降低组合逻辑延迟、提高电流驱动能力的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 边墙 源极 漏极 沟道 垂直堆叠 场效应晶体管 非对称边 沟道结构 控制栅极 可重构 衬底 堆叠 电流驱动能力 栅极氧化物 栅极隔离 组合逻辑 晶体管 延迟 垂直 | ||
【主权项】：
1.一种非对称边墙、垂直堆叠沟道结构的可重构场效应晶体管，其特征在于，它包括：数条垂直堆叠的沟道（1），分别包裹在数条沟道（1）外侧的栅极氧化物（2），设于数条沟道（1）左端的源极（3），设于数条沟道（1）右端的漏极（4），设置在源极（3）右侧、沟道（1）外侧、栅极氧化物（2）左侧的源极一侧边墙（7），设置在漏极（4）左侧、沟道（1）外侧、栅极氧化物（2）右侧的源极一侧边墙（8），设置在栅极氧化物（2）外侧、源极一侧边墙（7）右侧的控制栅极（5），设置在栅极氧化物（2）外侧、漏极一侧边墙8左侧的极性栅极（6），设置在栅极氧化物（2）外侧、控制栅极（5）和极性栅极（6）之间的栅极隔离（9），设置在源极（3）、漏极（4）、控制栅极（5）、极性栅极（6）、源极一侧边墙（7）、漏极一侧边墙（8）和栅极隔离（9）底部的衬底（10）。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华东师范大学;上海华力微电子有限公司，未经华东师范大学;上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910683374.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
