[发明专利]半导体存储装置及其制造方法

摘要

实施方式提供一种能够抑制存储区面积增大或半导体存储装置大型化的半导体存储装置及其制造方法。一实施方式的半导体存储装置具有：第1积层体，包含在第1方向上积层，且在第2方向及第3方向上延伸的多个第1电极层；第2积层体，包含在第1积层体的第1方向上积层，且在第2方向及第3方向上延伸的多个第2电极层；半导体膜，在第1积层体内及第2积层体内在第1方向上延伸；电荷储存层，分别设置在多个第1电极层与半导体膜之间、及多个第2电极层与半导体膜之间；及分离构造，在第1方向及第2方向上延伸，且在第3方向上将第1积层体及第2积层体分离。分离构造具有：第1分离膜，在第1方向上延伸，在第3方向上将第1积层体分离；第2分离膜，第3方向上的位置与第1分离膜不同，且在第1方向上延伸，在第3方向上将第2积层体分离；及膜，设置在第1分离膜上，包含与第1方向上延伸的第1分离膜相同的材料。