[发明专利]一种包含正交分布一维纳米填料的电介质薄膜及制备方法在审
| 申请号： | 201910684683.X | 申请日： | 2019-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN110358229A | 公开（公告）日： | 2019-10-22 |
| 发明（设计）人： | 胡澎浩;刘晓茹;范明智;姬旭敏 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | C08L27/16 | 分类号： | C08L27/16;C08K7/18;C08J5/18 |
| 代理公司： | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人： | 皋吉甫 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于储能材料技术领域，涉及一种包含正交分布一维纳米填料的电介质薄膜及制备方法。复合电介质薄膜材料由正交分布的一维纳米填料和聚合物基体复合而成，工艺为：采用水热法制备垂直于薄膜面内方向排列的一维纳米填料，即垂直填料；采用静电纺丝法制备平行于薄膜面内方向排列的一维纳米填料，即平行填料。采用流延法将一维纳米填料和聚合物基体进行复合，即得到厚度为10‑20µm的包含正交分布一维纳米填料的复合电介质薄膜。本发明设计了正交分布的一维纳米填料结构，采用了水热法、静电纺丝法和流延法进行填料和聚合物基体的复合，实现了包含正交分布一维纳米填料的复合电介质材料的制备，该制备方法具有易于操作、成本低廉等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米填料 正交分布 制备 聚合物基体 电介质薄膜 复合电介质 薄膜面 流延法 内方向 复合 平行 复合电介质材料 垂直 静电纺丝法 薄膜材料 储能材料 静电纺丝 水热法制 水热法 薄膜 | ||
【主权项】：
1.一种包含正交分布一维纳米填料的复合电介质薄膜，其特征在于，所述复合电介质薄膜由第一电介质层和第二电介质层组成，且所述第一电介质层和第二电介质层叠加设置；其中，所述第一电介质层由含有垂直于面内方向排列的一维纳米填料和聚合物基体组成，所述第二电介质层由含有平行于面内方向排列的一维纳米填料和聚合物基体组成。
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