[发明专利]介电润湿低电压响应的钛基氧化镧纳米花薄膜的制备方法

摘要

本发明公开了介电润湿低电压响应的钛基氧化镧纳米花薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1，钛基底清洗脱脂处理；S2，钛基底电化学抛光；S3，前驱液的配置：将1重量份的六水合硝酸镧溶解于35～45重量份的异丙醇中，充分搅拌，得到氧化镧前驱液；S4，氧化镧的水热生长；S5，后处理：取出高压反应釜，自然冷却，取出钛基底吹干，从而获得了钛基底上水热生长的氧化镧纳米花薄膜。本发明的制备方法简单、低成本、低温可控，且制备的氧化镧纳米花薄膜，结构新颖，介电润湿响应电压低，在液体透镜、介电润湿显示、液体输运系统等方面有较大的应用价值。

主权项

1.介电润湿低电压响应的钛基氧化镧纳米花薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，钛基底清洗处理：将钛片用丙酮、无水乙醇超声清洗20分钟，再用去离子水清洗，吹干，得到清洗后的钛基底；S2，钛基底电化学抛光：利用电化学反应抛光清洗后的钛基底，得到抛光钛基底；S3，前驱液的配置：将1重量份的六水合硝酸镧溶解于35～45重量份的异丙醇中，充分搅拌，得到氧化镧前驱液；S4，氧化镧的水热生长：将所述抛光钛基底置于高压反应釜中，并量取所述氧化镧前驱液于高压反应釜中，放入温度为180～200℃的烘箱中，静置19～22h；S5，后处理：取出高压反应釜，自然冷却，取出所述钛基底吹干，即得到钛基底上水热生长的氧化镧纳米花薄膜。