[发明专利]一种肖特基二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 201910686549.3 | 申请日： | 2019-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN110504330B | 公开（公告）日： | 2022-11-08 |
| 发明（设计）人： | 单亚东;谢刚;胡丹 | 申请（专利权）人： | 广微集成技术（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/205;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 苏州市港澄专利代理事务所(普通合伙) 32304 | 代理人： | 马丽丽 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种肖特基二极管及其制备方法，属于半导体领域。肖特基二极管包括依次形成于衬底表面的镓极性GaN层、氮极性GaN层、钝化层；多个第一凹槽，其穿过钝化层、氮极性GaN层位于镓极性GaN层的上表面；第二凹槽，其穿过钝化层位于氮极性GaN层之中；第一阴极和第二阴极，其形成在第一凹槽之中并且形成为与镓极性GaN层电接触；阳极，其形成在第一阴极和第二阴极之间且与氮极性GaN层电接触；氧化镓，形成于第一凹槽内暴露出的镓极性GaN层、氮极性GaN层区域；氮氧化镓层，形成在第二凹槽内暴露出的氮极性GaN层区域。通过在阴极和镓极性GaN层与氮极性GaN层之间设置氧化镓，在阳极和氮极性GaN层之间设置氮氧化镓层可以显著降低肖特基二极管的漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 肖特基 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种肖特基二极管，包括：/n衬底，依次形成于衬底表面的镓极性GaN层、氮极性GaN层、钝化层；/n多个第一凹槽，其穿过钝化层、氮极性GaN层位于镓极性GaN层的上表面；第二凹槽，其穿过钝化层位于氮极性GaN层内部；/n第一阴极和第二阴极，其形成在第一凹槽之中并且形成为与镓极性GaN层电接触；/n阳极，其形成在第一阴极和第二阴极之间且与氮极性GaN层电接触；以及/n氧化镓，其形成于第一凹槽内并位于第一阴极和第二阴极和镓极性GaN层与氮极性GaN层之间；/n氮氧化镓层，其形成在第二凹槽内并位于阳极和氮极性GaN层之间。/n
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