[发明专利]半导体激光器芯片与硅光芯片的耦合结构及耦合方法在审
| 申请号： | 201910687036.4 | 申请日： | 2019-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN110401101A | 公开（公告）日： | 2019-11-01 |
| 发明（设计）人： | 李金野;刘建国;戴双兴 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/026 | 分类号： | H01S5/026;G02B6/12 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴梦圆 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种半导体激光器芯片与硅光芯片的耦合结构及耦合方法，该耦合结构包括激光器单元，其包含有激光器芯片；硅光芯片，其上设有波导；以及刻蚀槽，其设置在硅光芯片的耦合端，用于连接激光器单元和硅光芯片。本发明能够实现半导体激光器芯片与硅光芯片的高效率耦合，有利于为硅光混合集成提供高品质光源，本发明在硅光芯片耦合端面镀了增透膜，同时减小了耦合损耗和激光器的RIN噪声，且在激光器芯片和硅光芯片的缝隙中填充折射率匹配胶，减小了光场散射损耗，进一步减小了耦合损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 硅光 芯片 半导体激光器芯片 耦合结构 耦合 减小 激光器单元 激光器芯片 耦合损耗 折射率匹配胶 混合集成 散射损耗 耦合端面 激光器 高品质 高效率 刻蚀槽 增透膜 耦合端 波导 光场 光源 填充 噪声 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光器芯片与硅光芯片的耦合结构，包括：激光器单元，其包含有激光器芯片；硅光芯片，其上设有波导；以及刻蚀槽，其设置在硅光芯片的耦合端，用于连接激光器单元和硅光芯片。
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