[发明专利]一种具有反馈结构的半导体功率晶体管及集成电路与封装结构

摘要

本发明公开了一种具有反馈结构的半导体功率晶体管，包括水平结构晶体管、垂直结构晶体管，水平和垂直结构晶体管包括抑制本征反馈结构和周期性反馈结构；抑制本征反馈结构设置在所述半导体功率晶体管的电极上；周期性反馈结构设置在所述半导体功率晶体管的内部或/和外部；并提供了一种单片微波集成电路和内匹配晶体管电路封装结构。在进行抑制晶体管本征反馈的基础上,采用无源、有源耦合结构实现周期性反馈及调谐功能，改善了微波性能和宽带特性，解决了电路结构的小型化和可调谐，促进了周期性反馈结构在集成电路上的实现及高效率高性能的内匹配封装。上述实现可用于各类通信系统，特别是4G、5G移动通信系统的射频前端模块等领域。

主权项

1.一种具有新型反馈结构的半导体功率晶体管，包括水平结构晶体管、垂直结构晶体管，所述水平结构晶体管包括栅极(1)、漏极(2)，源极(3)、栅极输入端(4)、漏极输出端(5)、栅极插指(6)，所述垂直结构晶体管包括基极(7)、集电极(8)、发射极(9)、基极输入端(10)、集电极输出端(11)，其特征在于：所述水平结构晶体管和垂直结构晶体管还包括抑制本征反馈结构和周期性反馈结构；所述抑制本征反馈结构设置在所述半导体功率晶体管的电极上，用于抑制半导体功率晶体管的法布里珀罗FP反馈；所述周期性反馈结构设置在所述半导体功率晶体管的衬底上，或/和设置在所述半导体功率晶体管的电极上，或/和设置在所述半导体功率晶体管的输入输出端外侧连接处。