[发明专利]一种基于IGBT的线性功率放大器有效
| 申请号： | 201910687910.4 | 申请日： | 2019-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN110492851B | 公开（公告）日： | 2022-11-15 |
| 发明（设计）人： | 陈柏超;陈耀军;高伟 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | H03F1/02 | 分类号： | H03F1/02;H03F3/21 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 彭艳君 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及放大器技术，具体涉及一种基于IGBT的线性功率放大器，包括：大功率低压差P‑IGBT，与大功率低压差P‑IGBT特性参数对称的异型大功率低压差N‑IGBT，大功率低压差N‑IGBT作为上管，大功率低压差P‑IGBT作为下管，上管大功率低压差N‑IGBT和下管大功率低压差P‑IGBT的栅极和发射极相互连接，构成双电源互补对称功率放大电路；输入信号从放大电路的栅极输入，发射极输出。该放大器构造的大功率低压差P‑IGBT与大功率低压差N‑IGBT等效晶体管，切断了PNP、NPN型三极管与IGBT的直接联系回路，内部标准IGBT的集电极‑发射极电压的最小值降低，有效恢复了等效IGBT晶体管的线性区，提高了线性功率放大的动态范围。IGBT作为大功率器件用于线性功率放大器中将简化电路结构，实现更高功率密度的输出。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 igbt 线性 功率放大器 | ||
【主权项】：
1.一种基于IGBT的线性功率放大器，其特征是，包括：大功率低压差P-IGBT，与大功率低压差P-IGBT特性参数对称的异型大功率低压差N-IGBT，大功率低压差N-IGBT作为上管，大功率低压差P-IGBT作为下管，上管大功率低压差N-IGBT和下管大功率低压差P-IGBT的栅极和发射极相互连接，构成双电源互补对称功率放大电路；输入信号从放大电路的栅极输入，发射极输出。/n
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