[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201910687997.5 | 申请日： | 2019-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN111668227B | 公开（公告）日： | 2023-05-12 |
| 发明（设计）人： | 沓掛静香;松本浩史;斋藤广翔 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B41/50 | 分类号： | H10B41/50;H10B41/30;H01L23/538;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式提供一种能够实现高集成化及高速化的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：衬底；第1绝缘层及第2绝缘层，在与衬底的表面交叉的第1方向上与衬底并排；空隙层，设置在第1绝缘层及第2绝缘层之间；以及第1接点电极及第2接点电极，在第1方向上延伸并在与第1方向交叉的第2方向上排列。第1接点电极及第2接点电极分别具备：第1方向的一端部；第1方向的另一端部；以及第1部分，设置在一端部与另一端部之间且第2方向上的宽度大于一端部的第2方向上的宽度及另一端部的第2方向上的宽度。第1接点电极的第1部分及第2接点电极的第1部分设置在空隙层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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