[发明专利]多层材料异质栅介质层柔性硅薄膜晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201910688302.5 | 申请日： | 2019-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN110459605A | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | 秦国轩;裴智慧 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 12201 天津市北洋有限责任专利代理事务所 | 代理人： | 刘国威<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及柔性器件领域，为在较为简便的工艺中设计并制备底部驱动的柔性薄膜晶体管，极大丰富晶体管作为电路元器件的用处，使得该柔性器件在大规模集成电路和光电器件的应用提供可能，本发明，多层材料异质栅介质层柔性硅薄膜晶体管及其制造方法，采用磁控溅射工艺在柔性、可延性塑料或薄金属基板衬底上形成氧化铟锡ITO底栅电极以及TATAT栅介质膜，随后在SOI上形成掺杂区，采用光刻以及离子刻蚀的方式形成方孔层，采用湿法HF刻蚀的方式形成硅纳米膜层，通过转移技术将硅纳米薄膜转移到PET衬底上，最后通过光刻以及真空电子束蒸镀的方式在硅纳米薄膜掺杂区上形成源漏电极。本发明主要应用于柔性器件设计制造场合。 | ||
| 搜索关键词： | 柔性器件 硅纳米薄膜 掺杂区 衬底 光刻 大规模集成电路 柔性薄膜晶体管 延性 磁控溅射工艺 硅薄膜晶体管 薄金属基板 电路元器件 真空电子束 底栅电极 多层材料 光电器件 离子刻蚀 氧化铟锡 应用提供 源漏电极 栅介质层 栅介质膜 硅纳米 晶体管 方孔 刻蚀 膜层 湿法 异质 蒸镀 制备 制造 驱动 塑料 应用 | ||
【主权项】：
1.一种多层材料异质栅介质层柔性硅薄膜晶体管制造方法，其特征是，采用磁控溅射工艺在柔性、可延性塑料或薄金属基板衬底上形成氧化铟锡ITO底栅电极以及TATAT栅介质膜，TATAT栅介质膜为TiO2/Al2O3/TiO2/Al2O3/TiO2，随后在SOI上采用光刻工艺形成掺杂区图案以及离子注入的方式形成掺杂区，采用光刻以及离子刻蚀的方式形成方孔层，采用湿法HF刻蚀的方式形成硅纳米膜层，通过转移技术将硅纳米薄膜转移到PET衬底上，最后通过光刻以及真空电子束蒸镀的方式在硅纳米薄膜掺杂区上形成源漏电极，这样就完成了晶体管的制备。/n
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