[发明专利]一种单晶硅片的绒面制备方法有效
| 申请号： | 201910688627.3 | 申请日： | 2019-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN110391317B | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 王涛;张鹏;杨蕾;余波 | 申请（专利权）人： | 通威太阳能（成都）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/308;H01L21/306;H01L21/67;H01L31/0236 |
| 代理公司： | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人： | 谢建 |
| 地址： | 610299 四川省成都市双流*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种单晶硅片的绒面制备方法，其目的在于提供一种新的采用SiO |
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| 搜索关键词： | 一种 单晶硅 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种单晶硅片的绒面制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)将单晶硅片经清洗溶液预清洗去除表面有机脏污后，烘干；(2)将步骤(1)中得到的单晶硅片进行表面氧化，生产氧化层；(3)将步骤(2)中得到的单晶硅片进行高温退火；氧化硅掩膜在退火后产生高密度的针孔，形成碱溶液与硅片直接接触反应的通道；(4)将步骤(3)中得到的单晶硅片进行制绒；最终在氧化硅掩膜的针孔位置形成倒金字塔形结构；(5)将步骤(4)中得到的单晶硅片去除氧化硅掩膜层，即可得到需要的倒金字塔形绒面。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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