[发明专利]晶圆片上的TiNiAg层腐蚀均匀性的控制方法及系统在审
申请号: | 201910688718.7 | 申请日: | 2019-07-29 |
公开(公告)号: | CN112309854A | 公开(公告)日: | 2021-02-02 |
发明(设计)人: | 芦冬云;张琼 | 申请(专利权)人: | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/3213 | 分类号: | H01L21/3213;H01L21/67 |
代理公司: | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人: | 薛琦;张冉 |
地址: | 200233 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种晶圆片上的TiNiAg层腐蚀均匀性的控制方法及系统,所述控制方法包括:获取晶圆片对应的第一区域;获取所述晶圆片上的TiNiAg层对应的第二区域;其中,所述第二区域中排布若干个管芯;根据所述第一区域和所述第二区域获取所述晶圆片中没有排布管芯的目标区域;在对所述TiNiAg层进行光刻版时,采用管芯对所述目标区域进行填充。本发明使得整个晶圆片的横向和纵向的划片槽完全贯通,从而提高了腐蚀时液体流动的均匀性,保证腐蚀时液体流动的通畅,使得每颗管芯的腐蚀状态都相近,达到均匀腐蚀,无Ni残留,进而提高了生产效率及产品良率。 | ||
搜索关键词: | 晶圆片上 tiniag 腐蚀 均匀 控制 方法 系统 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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