[发明专利]利用单原子碳还原制备单质材料的方法有效

专利信息
申请号: 201910689302.7 申请日: 2019-07-29
公开(公告)号: CN110527833B 公开(公告)日: 2021-10-01
发明(设计)人: 孙旭阳 申请(专利权)人: 孙旭阳
主分类号: C22B5/10 分类号: C22B5/10;C22B23/02;C22B34/14;C01B35/02;C01B33/025
代理公司: 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 代理人: 黄丽娟;李静
地址: 314001 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明属于材料领域,涉及一种利用单原子碳还原制备单质材料的方法。该方法包括:在熔体介质中,在300℃~1500℃下,有机碳源裂解成原子碳并溶解于熔体介质,所述原子碳与置于熔体介质中的单质前体化合物发生氧化还原反应,该前体化合物被还原成单质,单质在熔体介质中过饱和结晶析出,得到单质材料。本发明的方法能够在较低的温度下以较低的成本制备品质好的、自结晶生长的单质材料。
搜索关键词: 利用 原子 还原 制备 单质 材料 方法
【主权项】:
1.一种利用单原子碳还原制备单质材料的方法,在熔体介质中,在300℃~1500℃下,有机碳源裂解成原子碳并溶解于熔体介质,所述原子碳与置于熔体介质中的单质前体化合物发生氧化还原反应,该前体化合物被还原成单质,单质在熔体介质中过饱和结晶析出,得到单质材料。/n
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